IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)寫IGBT）功率器件與VDMOS的差別在于n外延層下面不是n+層而是p+層。導(dǎo)通時(shí)在n型漂移區(qū)產(chǎn)生電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，大幅降低導(dǎo)通壓降。

CoolSemi的IGBT功率器件采用溝槽柵場(chǎng)截至設(shè)計(jì)，外延層厚度降低到60um，Vcesat達(dá)到1.45V，性能媲美Infineon IFX6。