屏蔽柵MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET， SGT)功率器件柵電極，下半部分是屏蔽柵電極。

CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深溝槽設計，屏蔽柵于源極短接，屏蔽掉了大部分Qgd電荷，大大降低器件的米勒電容，有效提升器件的開關(guān)速度，開關(guān)損耗更低，溝槽深度加深降低導通電阻，導通損耗更低。