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功成半導(dǎo)體

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  1. SGT
  2. SJ
  3. IGBT
  4. IPM
  5. SiC SBD
  6. SiC MOSFET
  7. GaN HEMT

超結(jié)器件(Super Junction MOSFET)實現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層,引入高濃度等量異型電荷,從表面場轉(zhuǎn)換到體內(nèi)場,相對于傳統(tǒng)VDMOS器件Rdson*A-BV關(guān)系從2.5次方變?yōu)?.32次方。

CoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計結(jié)構(gòu),極低特征導(dǎo)通電阻(Rdson*A)優(yōu)于Infineon C6系列,有效提升開關(guān)電源的效率及功率密度。

篩選條件

未檢索到數(shù)據(jù)